IXFN360N10T
400
Fig. 7. Transconductance
360
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
360
320
280
240
200
160
T J = - 40oC
25oC
150oC
320
280
240
200
160
120
80
40
120
80
40
T J = 150oC
T J = 25oC
0
0
40
80
120
160
200
240
280
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
100,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 50V
I D = 180A
I G = 10mA
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1.00
0.10
0.01
0.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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